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东起【图文导读】图1二氧化钛（TiO2）纳米颗粒（NPs）修饰的埋栅式石墨烯场效应管（GFET）。（a）器件光电响应随源漏偏压变化;（b）器件归一化响应度（Rph/Rph,0,Rph,0为源漏电压等于0 V时器件的响应度）随源漏偏压变化;图（a）和（b）均在Vgs=0V和入射激光功率为1.74mW的条件下获得;（c）器件光电响应随入射激光功率变化;（d）在Vds =0.1V和Vgs =0V条件下，步电器件响应度随入射激光功率变化。（a）实验装置示意图;（b）在零栅压（Vgs）和0.1V源漏电压（Vds）下，力现器件的瞬态光电响应;（c）单个调制周期的瞬态光电响应;插图：力现器件的工作原理;（d）在Vgs =0V和Vds =0.1V条件下，器件光电流随激光位置的变化而变化;插图：标有激光位置的器件SEM图; 实验中所用激光波长为325nm，图（b）和（c）所用激光功率均为3.47mW，图（d）所用激光功率为1.74mW。

【小结】本文利用二氧化钛（TiO2）纳米颗粒修饰埋栅式石墨烯场效应管（GFET），货市实现了对紫外光超高灵敏度探测。（a）TiO2NPs修饰前、场结后GFET的转移特性对比;（b）TiO2NPs修饰GFET的转移特性曲线;（c）和（d）分别为TiO2NPs修饰前、后GFET的输出特性曲线。

（a）和（b）TiO2 NPs修饰前、算试后的埋栅式GFET;（c）TiO2 NPs修饰GFET阵列;（d）石墨烯/TiO2 NPs导电沟道;（e）TiO2 NPs集聚点的原子力显微图像（对应图1d中的红色框）;（f）TiO2 NPs修饰前（红线）、算试后（蓝线）GFET的拉曼光谱。

石墨烯优异的光学和电学性能使之成为制造光电探测器的理想材料，年1南方但是由于单层石墨烯对光的吸收率很低（~2.3%），年1南方石墨烯紫外光电探测器的响应度亟待提高。月广运行2014年获第六届十佳全国优秀科技工作者称号。

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